688012中微公司专利技术保护趋势

2019年7月22日上市，688012中微公司，中微半导体设备(上海)股份有限公司目前市值704.92亿元，2022年三季度营业收入30.43亿元，净利润7.91亿元，研究经费4.52亿元。

主营产品：电容性等离子体刻蚀设备、电感性等离子体刻蚀设备、mocvd设备、voc设备、专用设备、备品备件、服务

1）外观专利：基座 申请号：CN202230467144.3  申请日2022年7月21日 技术效果：.本外观设计产品的名称：基座。2.本外观设计产品的用途：薄膜生长装置中用于放置晶圆的元件。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。

2）发明专利：一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片 申请号：CN202210786306.9  申请日2022年7月4日 技术效果：本发明公开了一种在高深宽比结构中沉积钨的方法及其半导体基片，该高深宽比结构为深宽比大于50的凹陷结构。其优点是：其通过处理气体中的自由基在钨材料层表面形成表面键，以减缓该处后续钨材料沉积，含氟/氯自由基的刻蚀进一步避免了凹陷结构顶部开口的过早封闭，实现了凹陷结构内的缝隙下移和缩小，避免在后续CMP处理工艺中暴露缝隙，有助于提升基片的使用寿命及其电学性能。

3）实用专利：一种晶圆温度控制系统和等离子体处理装置 申请号：CN202221220303.0 申请日2022年5月20日 技术效果：本实用新型公开了一种晶圆温度控制系统和等离子体处理装置，本实用新型可以对冷却气体进行再利用实现降低设备的运营成本的目的。

4）实用专利：吊装机械臂 申请号：CN202221209058.3  申请日2022年5月11日 技术效果：本实用新型公开了一种吊装机械臂，该吊装机械臂安装于等离子体刻蚀设备；该吊装机械臂包括平移装置和起吊装置。本实用新型能够安装在等离子体刻蚀设备上，便于待吊装部件的拆卸，减小因操作不便带来的使用风险。

5）实用专利：一种半导体外延的衬底及化学气相沉积装置 申请号：CN202220967013.6 申请日2022年4月25日 技术效果：本实用新型提供的衬底，其边缘区域外延得到的是晶体质量差、晶向杂乱的多晶结构的薄膜，而无法形成单晶结构的薄膜。该多晶结构的薄膜内部能够吸收应力，使裂纹集中在边缘区域，而不会向中心区域延伸，从而提高外延片的成品良率和使用面积。

6）实用专利：一种机械手及半导体处理系统 申请号：CN202220967044.1 申请日2022年4月25日 技术效果：本实用新型公开了一种机械手及半导体处理系统，所述机械手包括：手臂；末端执行器，其一端与手臂连接以控制末端执行器的移动，末端执行器的另一端构成一弧面，弧面的末端和中间位置分别设有向弧面的中心径向延伸的第一支撑部和第二支撑部，衬底托盘置于第一支撑部和第二支撑部上。本实用新型能够使得衬底托盘在末端执行器上进行稳定传输。

7）实用专利：一种半导体设备的内腔和半导体处理装置 申请号：CN202123416934.8 申请日2021年12月31日 技术效果：本实用新型提供一种半导体设备的内腔和半导体处理装置。所述半导体设备的内腔内部构成一处理空间用于处理基片，所述处理空间由相对设置的侧壁、与所述侧壁连接的顶壁和底壁围成，所述侧壁沿着垂直所述基片的方向具有一高度，所述顶壁与所述侧壁通过一倾斜的过渡壁连接。本实用新型能够减小腔室的尺寸，保证反应腔室内气流、温场的均匀性，有益于获得先进制程高质量外延层。

8）实用专利：一种用于半导体处理设备的气体分配装置及其导流件 申请号：CN202123003406.X 申请日2021年12月02日 技术效果：本实用新型在气体汇流时令小流量气体的气流方向与大流量气体的气流方向保持同向，使得大流量气体推动小流量气体流动，防止大流量气体堵住小流量气体，从而实现小流量气体对工艺的调节。

9）实用专利：一种尾气过滤器 申请号：CN202122672928.2 申请日2021年11月03日 技术效果：本申请中的尾气过滤器的过滤芯内设置有吹扫件，吹扫件的第一进气结构可以接入驱动气，驱动气经由吹扫件的第一内部气道后由吹扫件的第一出气结构流出，流出的驱动气可以对吸附于过滤芯上的杂质进行吹扫，进而保证过滤芯的清洁。通过吹扫件定期对过滤芯进行吹扫，可极大地降低更换过滤芯的频率。

10）发明专利：零部件、等离子体装置、形成耐腐蚀涂层的方法及其装置 申请号：CN202111169430.2 申请日2021年10月08日 技术效果：本发明公开了一种零部件、等离子体装置、形成耐腐蚀涂层的方法及其装置，所述耐腐蚀涂层包括：零部件本体，其包括待镀面，所述待镀面在任意水平距离为100微米范围内局域高度偏差小于等于20微米或者平均粗糙度小于1微米；耐腐蚀涂层，位于所述待镀面上，所述耐腐蚀涂层表面在任意水平距离为50微米范围内局域高度偏差小于等于10微米，所述耐腐蚀涂层表面形貌致密，无生长边界。本发明所述耐腐蚀涂层耐等离子体腐蚀的能力较强，不易开裂，不易形成颗粒污染。

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