688019安集科技专利技术保护趋势

2019年7月22日上市，688019安集科技，安集微电子科技(上海)股份有限公司目前市值172.93亿元，2022年三季度营业收入7.94亿元，净利润2.07亿元，研究经费1.20亿元。

主营产品：铜及铜阻挡层、集成电路制造、晶圆级封装、铜及铜阻挡层系列化学机械抛光液、集成电路制造光刻胶去除剂、晶圆级封装光刻胶去除剂、led/oled用光刻胶去除剂

1）发明专利：一种化学机械抛光液 申请号：CN202110003918.1  申请日2021年1月4日 技术效果：本发明提供了一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包含研磨颗粒，络合剂，氮唑类腐蚀抑制剂，磺酸类表面活性剂、腺嘌呤类衍生物以及氧化剂。本发明的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的铜的去除速率和铜/钽去除速率选择比，能够改善抛光后铜线的碟型凹陷和介质层侵蚀。

2）发明专利：一种半导体器件清洗中去除静电的方法 申请号：CN202011638614.4  申请日2020年12月31日 技术效果：本发明的目的在于提供一种半导体器件清洗中去除静电的方法。本发明采用溶剂对清洗前的晶圆进行预处理，释放掉晶圆表面的电荷，再利用化学药剂进行常规的清洗，消除了静电的危害，提高了晶圆的良率。

3）发明专利：一种化学机械抛光液 申请号：CN202011620302.0  申请日2020年12月30日 技术效果：本发明采用阴离子型小分子化合物，修饰具有正电性表面的磨料颗粒，使其转化为负电颗粒，从而确保其在有机酸环境下稳定分散。其所制备的抛光液对铝等材料具有良好的抛光性能。

4）发明专利：一种化学机械抛光液及其使用方法 申请号：CN202011626108.3  申请日2020年12月30日 技术效果：本发明提供一种化学机械抛光液及其使用方法。具体的，所述化学机械抛光液包括：研磨颗粒，金属缓蚀剂，络合剂，氧化剂，表面活性剂和水，其中所述表面活性剂为一种或多种脂肪胺衍生物。本发明中的抛光液不仅能够满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对不同程度的碟型凹陷均有很好的修复与控制能力。

5）发明专利：一种化学机械抛光液及其使用方法 申请号：CN202011622810.2  申请日2020年12月30日 技术效果：本发明中的化学机械抛光液可以满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率和选择比的要求，针对前程铜抛光后的不同程度的碟型凹陷，均有很好的修复与控制能力。

6）发明专利：化学机械抛光液及其使用方法 申请号：CN202011626136.5  申请日2020年12月30日 技术效果：本发明的化学机械抛光液对前程铜抛光后的碟型凹陷和介质层侵蚀具有一定的修复能力，且对钽、铜、二氧化硅（TEOS）和低介电常数材料的去除速率无明显的影响，满足阻挡层抛光过程中对各种材料的抛光速率、速率选择比和抛光后表面形貌的要求。

7）发明专利：一种化学机械抛光液及其使用方法 申请号：CN202011622812.1  申请日2020年12月30日 技术效果：该抛光液在维持较高的含碳材料去除速率的同时，有效减少了抛光垫表面的抛光副产物残留，显著提升了抛光垫表面清洁程度，延长了抛光垫的使用寿命，降低了抛光后晶圆表面的缺陷。

8）发明专利：一种用于钨抛光的化学机械抛光液 申请号：CN202011618376.0  申请日2020年12月30日 技术效果：本发明的化学机械抛光液中两种腐蚀抑制剂的协同作用可以显著降低钨的静态腐蚀速率，提高钨的抛光速度与静态腐蚀速度比，改善图形芯片中的侵蚀缺陷（erosion），显著提高产品的良率。

9）发明专利：一种化学机械抛光液及其使用方法 申请号：CN202011626118.7  申请日2020年12月30日 技术效果：该抛光液在维持较高的含碳材料去除速率的同时，有效减少了抛光垫表面的抛光副产物残留，显著提升了抛光垫表面清洁程度，延长了抛光垫的使用寿命，降低了抛光后晶圆表面的缺陷。

10）发明专利：一种化学机械抛光液及其应用 申请号：CN202011622815.5  申请日2020年12月30日 技术效果：本发明中的化学机械抛光液可应用于金属铜互连的抛光，具有较高的金属铜抛光速率，并且对钽的去除速率低，从而具有较高的铜/钽去除速率选择比，同时可以改善抛光后铜线的碟形凹陷和介质层侵蚀。

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