688072拓荆科技专利技术保护趋势

2022年4月20日上市，688072拓荆科技，拓荆科技股份有限公司目前市值335.49亿元，2022年三季度营业收入9.915亿元，净利润2.372亿元，研究经费2.21亿元。

主营产品：等离子体增强化学气相沉积（pecvd）设备、原子层沉积（ald）设备、次常压化学气相沉积（sacvd）设备。

1）发明专利：半导体晶圆的应力平衡方法及其应用  申请号：CN202210956810.9  申请日2022年8月10日 技术效果：本发明解决了现有技术中平衡晶圆正面应力的平衡层或应力缓冲层效果不佳的技术问题，达到了有效平衡晶圆正面应力，避免正面应力所导致的工艺和可靠性的缺陷，避免半导体晶圆发生严重翘曲的技术效果。

2）发明专利：接地组件及镀膜设备  申请号：CN202210950106.2  申请日2022年8月9日 技术效果：本发明提供一种接地组件及镀膜设备，涉及半导体技术领域，接地组件包括屏蔽罩、导电机构和接地件。可防止接地件温度过高，降低接地件温度过高对其阻值的影响，保证接地件使用效果的稳定性，延长接地件的使用寿命。

3）发明专利：一种反应腔及镀膜设备  申请号：CN202210926474.3  申请日2022年8月3日 技术效果：本实施例中晶圆边缘由热辐射改为热传导的加热方式，热传导的传热效果更好，可以提高晶圆边缘区域的温度，进而缩小晶圆中心和边缘的温度差，提高晶圆的温度分布均匀性，提高晶圆沉积的质量，提高产能。

4）实用专利：隔离式进气装置  申请号：CN202222036452.8  申请日2022年8月3日 技术效果：通过利用每个单独的隔离通道分别进行气体输送，同时每条隔离通道进行使用时，均可以保证每条隔离通道分别对喷头结构内输送多种气体，缓解了现有技术中存在的各种功能气体共用通道造成多站薄膜性能表现不一致，以及利用阀门隔断无法保证调控同时提高维护成本的技术问题。

5）发明专利：半导体备件安全库存管理优化方法及系统  申请号：CN202210930160.0  申请日2022年8月3日 技术效果：本发明提供的一种半导体备件安全库存管理优化方法及系统，采用分级库位安全库存设置，可以保证现场机台使用部件的供应，提升备件命中率和周转率，降低资金需求，节约成本避免浪费，获取更大的经济效益。

6）发明专利：液体供应装置及半导体沉积设备  申请号：CN202210920220.0  申请日2022年8月2日 技术效果：本发明提供了一种液体供应装置及半导体沉积设备，涉及半导体沉积设备的技术领域。半导体沉积设备包括液体供应装置。达到了低温液态源的的罐子表面不会出现冷凝水的技术效果。

7）发明专利：腔内抽气结构及半导体沉积设备  申请号：CN202210916580.3  申请日2022年8月1日 技术效果：本发明提供了一种腔内抽气结构及半导体沉积设备，涉及半导体沉积设备的技术领域。半导体沉积设备包括腔内抽气结构。达到了无需抬高喷淋面板总成高度的技术效果。

8）发明专利：流体加热装置及薄膜沉积设备  申请号： CN202210917322.7 申请日2022年8月1日 技术效果：本发明提供了一种流体加热装置及薄膜沉积设备，涉及薄膜沉积设备的技术领域。薄膜沉积设备，包括流体加热装置。达到了占地小加热效果好的技术效果。

9）发明专利：压力控制系统及半导体设备  申请号：CN202210914440.2  申请日2022年8月1日 技术效果：本申请通过设置与第一调节阀串联的第二调节阀，能够在第一调节阀的开度过大或过小时，通过调整第二调节阀的开度，使第一调节阀的开度工作于压力可控范围，甚至工作于控制精度最好的开度范围内，而且可以提高不同半导体设备间的一致性。

10）发明专利：半导体设备气体输送箱及半导体设备  申请号：CN202210915148.2  申请日2022年8月1日 技术效果：本发明提供了一种半导体设备气体输送箱及半导体设备，涉及半导体生产设备的技术领域。可调通风件设置在箱体外壳的顶部，排风件设置在箱体外壳的底部；可调通风件上开设有供原料气管进入的进料口，且进料口处设置有密封件。半导体设备包括半导体设备气体输送箱。达到了箱体顶部进气口尺寸可调的技术效果。  

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