688261东微半导专利技术保护趋势

2022年2月10日上市，688261东微半导，苏州东微半导体股份有限公司目前市值179.23亿元，2022年三季度营业收入7.901亿元，净利润2亿元，研究经费0.3607亿元。所属行业：半导体-分立器件，最赚钱业务：其他(利润比例100.00%)。

主营产品：高压超级结mosfet、中低压屏蔽栅mosfet、超级硅mosfet、tgbt。

1）实用专利：半导体功率器件  申请号：CN202220614408.8  申请日2022年3月21日 技术效果：本实用新型可以降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。

2）实用专利：半导体功率器件  申请号：CN202122841877.1  申请日2021年11月19日 技术效果：本实用新型可以降低IGBT功率器件的反并联二极管的正向导通损耗。

3）发明专利：半导体器件的制造方法  申请号：CN202110525263.4  申请日2021年5月11日 技术效果：本发明的半导体器件的制造方法，是在形成屏蔽栅之后再形成栅极，可以使栅极具有更宽的宽度，从而可以使栅极更容易被外部电极引出，同时可以精确的使n型电荷存储区位于栅极区域下方。

4）发明专利：半导体器件  申请号：CN202110191691.8  申请日2021年2月19日 技术效果：本发明可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。

5）发明专利：半导体器件  申请号：CN202110195555.6  申请日2021年2月19日 技术效果：本发明可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。

6）发明专利：半导体功率器件  申请号：CN202110191872.0  申请日2021年2月19日 技术效果：本发明可以改善半导体功率器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。

7）发明专利：半导体装置  申请号：CN202011360254.6  申请日20220年11月27日 技术效果：首先，由于管脚的特殊排布，不仅可以使半导体装置具有大的爬电距离，还可以使后端PCB板的排布更具灵活性；其次，在封装体的第二侧壁设置热敏电阻，在不影响其它管脚排布的情况下可以实现封装体内的半导体功率器件的温度监控。

8）发明专利：碳化硅器件  申请号：CN202011280134.5  申请日2020年11月16日 技术效果：本发明可以降低栅极被击穿的风险，并提高碳化硅器件的耐压。

9）发明专利：半导体器件  申请号：CN202011281570.4  申请日2020年11月16日 技术效果：本发明可以降低栅极被击穿的风险，并提高半导体器件的耐压。

10）发明专利：半导体器件的制造方法  申请号：CN202011280137.9  申请日2020年11月16日 技术效果：源极沟槽的底部可以深入第二n型半导体层内，源极沟槽下方的p型掺杂区可以增加源极沟槽底部附近的电场，把半导体器件内的最高电场限定在源极沟槽的底部附近，保护栅极沟槽内的栅极不容易被击穿并提高半导体器件的耐压。  

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