688728格科微专利技术保护趋势

2021年8月18日上市，688728格科微，格科微有限公司目前市值446.30亿元，2022年三季度营业收入45.71亿元，净利润5.554亿元，研究经费4.03亿元。所属行业：半导体-数字芯片设计。

主营产品：CMOS图像传感器和显示驱动芯片的研发、设计和销售。

1）发明专利：垂直转移晶体管及形成方法以及应用其的图像传感器  申请号：CN202210893097.8  申请日2022年7月27日 技术效果：本发明的所述垂直栅部可以为具有不对称的侧壁及底面的柱体，邻近浮置扩散区的部分所述垂直栅部的体积小于远离所述浮置扩散区的部分所述垂直栅部的体积，从而缩短载流子路径。

2）发明专利：前照式图像传感器及形成方法  申请号：CN202210710263.6  申请日2022年6月22日 技术效果：绕所述像素阵列的外围电路的光进行反射，并且可以隔挡光生载流子，从而能有效避免像素阵列外围的光和/或光生载流子对像素阵列的影响，提高图像传感器的性能。

3）发明专利：前照式图像传感器及形成方法  申请号：CN202210710274.4  申请日2022年6月22日 技术效果：所述第一墙体的纵向尺寸等于浅沟槽隔离结构的纵向尺寸，还可以于所述第二墙体的底部形成逐阶向所述衬底方向延伸的若干墙体，可根据前照式图像传感器的尺寸灵活设计所述沟槽挡墙。

4）发明专利：背照式图像传感器及形成方法  申请号：CN202210694865.7  申请日2022年6月20日 技术效果：本发明提供一种背照式图像传感器及形成方法，于第一衬底的正面形成内设有图形化层的感光叠层，自所述第一衬底的背面去除所述第一衬底及所述图形化层时，所述图形化层的图案转印至所述感光叠层。所述图形化层可以用作停止层以去除所述第一衬底及所述第一外延层，便于研磨终点或刻蚀终点的抓取，降低去除工艺的难度。

5）发明专利：背照式图像传感器及形成方法  申请号：CN202210694876.5  申请日2022年6月20日 技术效果：本发明于第一衬底的正面形成内设有若干凹槽的外延叠层，各所述凹槽的底部及至少部分侧壁覆盖有介质层，所述介质层用作刻蚀停止层，在去除所述第一衬底及减薄所述外延叠层时停止于所述介质层，从而精确地控制刻蚀终点。所述凹槽自所述第一外延层的表面向所述第一衬底延伸，释放第一外延层的应力，从而避免由于应力导致的翘曲或变形。

6）发明专利：背照式图像传感器及形成方法  申请号：CN202210694901.X  申请日2022年6月20日 技术效果：本发明于第一衬底的正面形成内设有若干凹槽的外延叠层，各所述凹槽的底部及至少部分侧壁覆盖有介质层，所述介质层用作刻蚀停止层，在去除所述第一衬底及减薄所述外延叠层时停止于所述介质层，从而精确地控制刻蚀终点。所述凹槽自所述第一外延层的表面向所述第一衬底延伸，释放第一外延层的应力，从而避免由于应力导致的翘曲或变形。

7）发明专利：鳍式场效应晶体管及形成方法  申请号：CN202210662905.X  申请日2022年6月13日 技术效果：本发明通过多次使用自对准过程，鳍式场效应晶体管的制备步骤得到大幅简化，且形成下沉式的凹槽，使得沟道长度于第一鳍式的纵向方向保持一致性。

8）发明专利：掩膜版版图及其设计方式以及图像传感器  申请号：CN202210621602.3  申请日2022年6月2日 技术效果：所述连接结构可以有效保证高温过程中硅柱相互之间的晶格匹配，起到类似籽晶的作用，侧向PN结构之间不存在晶格失配，大幅减少刻蚀过程以及外延封闭沟槽时所产生的缺陷，有效地减少了图像传感器的暗电流和白点。

9）发明专利：前照式图像传感器及形成方法  申请号：CN202210621598.0  申请日2022年6月2日 技术效果：所述第一外延层对掺杂隔离层起到一定的钉扎作用，避免掺杂隔离层与第一外延层界面处的缺陷所产生的电子进入至所述第二外延层形成暗电流。

10）发明专利：图像传感器及制作方法  申请号：CN202210620819.2  申请日2022年6月2日 技术效果：本征外延层设于外延衬底层上，通过离子注入工艺于本征外延层内形成所述导电注入层，所述导电注入层的注入能量需求不高。而且，通过耦连N个所述像素子单元形成1个像素单元，降低所述离子注入工艺所需求的光刻胶层的工艺难度。  

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