688498源杰科技专利技术保护趋势

2022年12月21日上市，688498源杰科技，陕西源杰半导体科技股份有限公司目前市值76.42亿元，2022年三季度营业收入1.934亿元，净利润0.7392亿元，研究经费0.176亿元。所属行业：半导体-模拟芯片设计，最赚钱业务：激光器芯片系列产品(利润比例99.52%)。

主营产品：光芯片的研发、设计、生产与销售。

1）发明专利：一种具有抗反射功能的EML芯片结构及制备方法  申请号：CN202210646936.6  申请日2022年6月9日 技术效果：本发明使用光隔离区电极可以有效地吸收反射光，可以达到优秀的抗反射效果；通过在隔离区加反向电压，作用在EAM量子阱上后持续吸收掉反射光，减小了光扰动，并吸收光生空穴引起的电荷堆积，增强激光器的抗反射特性。

2）发明专利：一种电吸收调制激光器芯片及其制备方法  申请号：CN202210498033.8  申请日2022年5月9日 技术效果：本发明提供的电吸收调制激光器芯片，通过在激光器光源与电吸收调制器(EAM)，EAM与半导体光放大器(SOA)之间分布式制作多个隔离组件，在芯片使用过程中，分别在该隔离组件的光隔离电极上施加不同的电压来调节光隔离电极区域的光隔离能力，从而实现SOA、EAM与激光器光源之间的光隔离，达到控制电吸收调制激光器芯片(EML)集成SOA激光器信号失真的目的，实现信号更长距离传输；在此基础上，通过调整光隔离电极的电压也可控制该区域的折射率变化，以此来实现激光器调制信号的啁啾补偿，达到增加激光器传输距离的目的。本发明的技术更易于实现大功率EML的批量生产制造，为PON光接入网的进一步扩容提供了可行的解决方案。

3）发明专利：波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法  申请号：CN202210067480.8  申请日2022年1月20日 技术效果：本发明公开了一种波导对接结构生长方法、铝量子阱激光器及其制备方法，属于半导体激光器芯片制备技术领域，能够解决刻蚀后AlInGaAs有源区暴露在空气中表面容易氧化、且掩模上容易形成多晶的问题。

4）发明专利：一种铝量子阱激光器及其制备方法  申请号：CN202110628970.6  申请日2021年6月7日 技术效果：采用多硫化铵溶液处理刻蚀面上的氧化物，并生成硫化物保护层；采用金属有机气相沉积在InP基板表面依次生长波导层和第三InP层，在金属有机气相外延沉积生长前的升温过程中，烘烤刻蚀面使硫化物保护层的硫原子解吸附，生成硫单质随载气升华。此解决含铝量子阱激光器刻蚀面氧化问题的发明的工艺，与传统的钝化技术相比，成本低，工艺简单，稳定性强。

5）发明专利：激光器芯片及制备方法  申请号：CN202110258344.2  申请日2021年3月10日 技术效果：In1‑xGaxP材料层与外延结构中材料层的导带边不连续，从而形成电子势垒，阻挡在严苛的环境下（‑40℃~85℃）电子溢流出有源层，大量的电子聚集在有源层中，以使电子与空穴复合，实现增强激光器芯片的高温光功率，解决高温环境中激光器芯片高衰减，易于饱和的问题，满足客户的需求。

6）发明专利：激光器芯片及制备方法  申请号：CN202110258774.4  申请日2021年3月10日 技术效果：叠层结构位于有源层及外延结构相对的两侧。上述依次叠置的第一半绝缘层、第二半绝缘层及第三半绝缘层形成的叠层结构作为掩埋阻挡层替换传统掩埋型结构中的PN结构，降低激光器芯片的结电容，从而提升激光器的高频带宽。

7）发明专利：半导体器件及其制备方法  申请号：CN202011462300.3  申请日2020年12月14日 技术效果：通过第四电子束缚层可以有效的束缚电子的迁移，防止电子溢流现象，增大第四有源层内的电子与空穴的复合效率，进而提高在高温工作环境下的出光功率。  

8）发明专利：半导体器件及其制备方法  申请号：CN202011461795.8  申请日2020年12月14日 技术效果：通过设置所述第一量子阱层的数目、所述第二量子阱层的数目以及两者的波长差异，使得所述第一量子阱层结构可以改善高温环境下的半导体器件的操作带宽，所述第二量子阱层结构可以改善低温环境下的半导体器件的操作带宽，进而使得半导体器件操作在-40℃到85℃环境温度中，无致冷条件下时，带宽能保证在18GHz以上，满足5G前传系统所需的25Gbps调制速率需求，进而可以进行通信的高误码行为。

9）发明专利：半导体器件及其制备方法  申请号：CN202011461680.9  申请日2020年12月14日 技术效果：实现了单一半导体器件同时制作MWDM规范的2个通道半导体器件或是LWDM规范的4个通道半导体器件，有别于一般一片半导体器件只做一通道半导体器件的技术，有利于提升生产效率与良率，同时也因为外延结构设计保证的优势，避免工艺制作上的误差而影响产品性能。  

10）发明专利：半导体器件制备方法及半导体器件  申请号：CN202011461968.6  申请日2020年12月14日 技术效果：在第一限制异质结层与第二限制异质结层之间形成了禁带宽度梯度差，可以加快载流子在异质结中移动，从而降低了载流子在异质结中的渡越时间，提高了载流子注入效率。  

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