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【定位科创让企业上市更快/市值更高】300323 华灿光电专利技术保护趋势

浏览: 发表时间:2023-01-09 15:08:55

300323 华灿光电专利技术保护趋势

201261日上市,300323 华灿光电,华灿光电股份有限公司目前市值82.85亿元,2022年三季度营业收入17.67亿元,净利润-0.4115亿元,研究经费1.05亿元。所属行业光学光电子-LED,最赚钱业务:LED芯片(利润比例85.54%)。

主营产品LED芯片、LED外延片、蓝宝石衬底及第三代半导体化合物氮化镓基电力电子器件的研发、生产和销售

1)发明专利:激光二极管及其制作方法  申请号:CN201911047057.6  申请日20191030 技术效果:本公开实施例的第一反射层和第二反射层将原本在谐振腔内的非发散光线和原本逸出谐振腔的发散光线都限制在谐振腔内进行振荡,最终提高激光二极管的出光效率。

2)发明专利:发光二极管外延片及其制备方法  申请号:CN201910247428.9  申请日2019329 技术效果:本发明有利于电子和空穴在有源层中复合发光,提高LED的发光效率。  

3)发明专利:发光二极管的外延片的制备方法及外延片  申请号:CN201910231496.6  申请日2019326 技术效果:本方法中铝源通入反应腔之后,在通入氨气的间隔时间中,铝源中的在铝原子可以充分铺陈在衬底上,再通入的氨气与铺陈较为均匀的铝原子反应生成AlN的晶体,衬底上各处生长的AlN晶体较为均匀,最终得到的AlN缓冲子层的表面生长较为平整均匀。

4)发明专利:谐振腔发光二极管及其制造方法  申请号:CN201910215605.5  申请日2019321 技术效果:通过将下反射镜层设置在衬底的远离N型层的一面上,此时可以通过提高Al在GaN中的掺杂浓度即可达到下反射镜高反射率的要求。由于下反射镜层设置在衬底的远离N型层的一面上,因此提高Al的浓度不会影响RCLED的外延质量。

5)发明专利AlN模板以及发光二极管外延片的制造方法  申请号:CN201910209256.6  申请日2019319 技术效果:本发明提供的制造方法可以改善形成的AlN薄膜的均匀性,减少AlN薄膜中的压应力,提高LED的发光效率。  

6)发明专利:发光二极管、外延片及发光二极管外延片的制备方法  申请号:CN201910175848.0  申请日201938 技术效果:在停止通入金属源时,金属源流量变为0,镓-氮键热分解重新蒸发为蒸汽,薄膜中镓原子减少,为镁原子提供了更多的基团位置,并且在停止通金属源的时候容易形成氮富集环境,在氮富集环境下镁跟镓对于镓位点的竞争减少,提高了P型层中镁的掺杂浓度,从而提高了空穴浓度,有利于提高生长在电子阻挡层和P型掺杂氮化镓层组合膜层的空穴浓度,提高P型掺杂氮化镓层空穴的有效注入,从而提升量子阱区载流子复合效率,提高了具有该外延片的发光二极管的发光效率。在停止通金属源时,电子阻挡层的生长速率降低,电子阻挡层表面饱和度降低,生长表面的活性铝原子有足够的时间在表面进行迁移,增加了铝掺杂的均匀性,增强了电子阻挡层层的晶体质量,有利于对电子的阻挡和提高空穴的注入。

7)发明专利:一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法  申请号:CN201811416036.2  申请日20181126 技术效果:通过低温应力释放层在生长过程中释放外延层生长积累的应力,低温应力释放层的生长温度较低,第一GaN子层的表面原子迁移率较低,使其横向外延能力较差,容易引起穿透位错形成V型坑,而当低温应力释放层为第一InGaN子层与第一GaN子层交替生长的周期性结构时,将促进释放外延层生长积累的大量应力、以及V型坑在低温应力释放层中的形成,形成的V型坑的开口朝向多量子阱层且在随后的外延层生长中开口大小会逐渐变大;而当第一InGaN子层的厚度为1~2nm,第一GaN子层的厚度为5~10nm时,所述第一InGaN子层或所述第一GaN子层的数量为10~30时,低温应力释放层具有一定的厚度,能够保证V型坑在多量子阱层中的开口大小在一定范围,而当V型坑在多量子阱层中的开口大小在一定范围时,位于V型坑中心的穿透位错中心到V型坑边缘的扩散距离与V型坑的倾斜面上的量子阱势垒高度处于一个较为平衡的状态,使得实现应力释放的同时又能够有效阻挡载流子进入V型坑形成非辐射复合中心,采用该外延片制得的LED的内量子效率较佳,由此提高LED的发光效率。

8)发明专利:一种发光二极管外延片及其制造方法  申请号:CN201811378262.6  申请日20181119 技术效果:该结构可以减少有源层内的极化效应,使得更多的电子和空穴能够在有源层中辐射复合发光,从而提高LED的发光效率。  

9)发明专利:一种倒装LED芯片及其制作方法  申请号:CN201810831587.9  申请日2018726 技术效果:本发明通过采用金属材料形成防顶针层,金属材料具有良好的延展性,防顶针层可以有效释放金属顶针的作用力,对芯片工艺层形成很好的保护,有效避免金属顶针破坏芯片工艺层。

10)发明专利:一种发光二极管芯片及其制作方法  申请号:CN201810717061.8  申请日201873 技术效果:通过在衬底的第二表面设置复合层,复合层的折射率小于或等于1,射向衬底的光线很容易满足全反射的条件,对于波长在400nm~800nm之间的光线均可以实现全反射,完全可以代替DBR作为反射层。同时复合层只包括若干金属纳米颗粒和无机材料层,与DBR相比,制作工艺十分简单,可以大大缩短制作周期,降低制作成本,提高了LED在实际应用方面的竞争力。  

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【定位科创让企业上市更快/市值更高】300323 华灿光电专利技术保护趋势
300323 华灿光电专利技术保护趋势2012年6月1日上市,300323 华灿光电,华灿光电股份有限公司目前市值82.85亿元,2022年三季度营业收入17.
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