300373 扬杰科技专利技术保护趋势

2014年1月23日上市，300373 扬杰科技，扬州扬杰电子科技股份有限公司目前市值301.36亿元，2022年三季度营业收入44.18亿元，净利润9.277亿元，研究经费2.22亿元。所属行业：半导体-分立器件，最赚钱业务：半导体器件(利润比例80.59%)。

主营产品：致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的产业发展。

1）发明专利：增强反向雪崩能力的半导体器件及制备方法  申请号：CN202211311659.X  申请日2022年10月25日 技术效果：本发明将沟槽区限定在分压环上，调整分压环和有源区的距离，确保最强电场在分压环上，在反向时电流从主结（有源区）走，与最强电场分开，同时不与槽内介质层接触，从而提高了产品的反向雪崩能力。

2）发明专利：一种基于UIS的SiC芯片测试方法  申请号：CN202211067058.9  申请日2022年9月1日 技术效果：更加有效解决了SiC功率器件在可靠性端PPM级失效问题。

3）发明专利：一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法  申请号：CN202211054133.8  申请日2022年8月31日 技术效果：本发明改善了器件正向工作时的导通电阻特性，提高了器件的性能和可靠性。

4）发明专利：一种改善沟槽刻蚀（P5000）作业过程中颗粒的方法  申请号：CN202211035106.6  申请日2022年8月26日 技术效果：本发明能有效地去除累积在腔体内的聚合物，使得机台颗粒达标且保持稳定；避免因聚合物累积脱落导致的产品良率的降低，大大的节约了产品成本；使得刻蚀工作腔的内壁保持较长时间的清洁状态，增加了一个周期内的作业批次，降低了设备维护成本。

5）发明专利：一种顶层是金属镍的腐蚀工艺  申请号：CN202210956727.1  申请日2022年8月10日 技术效果：本发明用PBE腐蚀液和新的腐蚀流程加工，PBE腐蚀液主要是腐蚀Ni表面的氧化镍，再用NiAg腐蚀液腐蚀纯Ni金属。腐蚀液（PBE）成分：冰乙酸（CH3COOH）：硝酸（HNO3）：氢氟酸（HF）=3.7%：2%：8.9%。PBE不仅能腐蚀氧化层，它同时也可以腐蚀Ti,下层金属Ti也主要靠PBE腐蚀。腐蚀流程中PBE腐蚀10S后，将表面氧化镍腐蚀干净，然后不冲水，直接提到NiAg腐蚀液中将表面Ni腐蚀干净，提出冲水，接着腐蚀下层金属Ti。

6）发明专利：一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法  申请号：CN202210739161.7  申请日2022年6月28日 技术效果：本发明节约了芯片表面源极PAD区域面积；避免了目前主流的P‑GaN增强型器件刻蚀引起的界面态问题和高频电流崩塌效应，从而推动Si基GaN HEMT在电力电子领域的发展和应用。

7）发明专利：一种利用TVS管漏电进行测试的方法  申请号：CN202210484843.8  申请日2022年5月6日 技术效果：本发明可查看器件的壳温和环境温度，通过耗散功率公式:P=（Tj‑Ta）/Rth，P=（Tj‑Tc）/Rth即可分别计算出芯片结到壳的热阻和芯片结到环境的热阻。

8）发明专利：一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法  申请号：CN202210464002.0  申请日2022年4月29日 技术效果：本发明减小了器件表面受外来电荷或电场的影响，可以有效的保护器件耐压长期稳定性和可靠性。

9）发明专利：贴片二极管全自动检测装置  申请号：CN202210195025.6  申请日2022年3月1日 技术效果：本发明具有结构紧凑、提高测试的安全性和准确性等特点。

10）发明专利：一种高功率贴片整流桥芯片框架  申请号：CN202210101208.7  申请日2022年1月27日 技术效果：本发明可以承载140mil芯片，极大的提高了产品整体过流能力。  

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