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【科创定位让企业上市更快/市值更高】300373 扬杰科技专利技术保护趋势

浏览: 发表时间:2023-01-30 15:46:13

300373 扬杰科技专利技术保护趋势

2014123日上市,300373 扬杰科技,扬州扬杰电子科技股份有限公司目前市值301.36亿元,2022年三季度营业收入44.18亿元,净利润9.277亿元,研究经费2.22亿元。所属行业半导体-分立器件,最赚钱业务:半导体器件(利润比例80.59%)。

主营产品:致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的产业发展

1)发明专利:增强反向雪崩能力的半导体器件及制备方法  申请号:CN202211311659.X  申请日2022年1025 技术效果:本发明将沟槽区限定在分压环上,调整分压环和有源区的距离,确保最强电场在分压环上,在反向时电流从主结(有源区)走,与最强电场分开,同时不与槽内介质层接触,从而提高了产品的反向雪崩能力。

2)发明专利:一种基于UIS的SiC芯片测试方法  申请号:CN202211067058.9  申请日2022年91 技术效果:更加有效解决了SiC功率器件在可靠性端PPM级失效问题。

3)发明专利:一种混合沟槽肖特基的沟槽型超势垒二极管及制备方法  申请号:CN202211054133.8  申请日2022年831 技术效果:本发明改善了器件正向工作时的导通电阻特性,提高了器件的性能和可靠性。

4)发明专利:一种改善沟槽刻蚀(P5000)作业过程中颗粒的方法  申请号:CN202211035106.6  申请日2022年826 技术效果:本发明能有效地去除累积在腔体内的聚合物,使得机台颗粒达标且保持稳定;避免因聚合物累积脱落导致的产品良率的降低,大大的节约了产品成本;使得刻蚀工作腔的内壁保持较长时间的清洁状态,增加了一个周期内的作业批次,降低了设备维护成本。

5)发明专利:一种顶层是金属镍的腐蚀工艺  申请号:CN202210956727.1  申请日2022年810 技术效果:本发明用PBE腐蚀液和新的腐蚀流程加工,PBE腐蚀液主要是腐蚀Ni表面的氧化镍,再用NiAg腐蚀液腐蚀纯Ni金属。腐蚀液(PBE)成分:冰乙酸(CH3COOH):硝酸(HNO3):氢氟酸(HF)=3.7%:2%:8.9%。PBE不仅能腐蚀氧化层,它同时也可以腐蚀Ti,下层金属Ti也主要靠PBE腐蚀。腐蚀流程中PBE腐蚀10S后,将表面氧化镍腐蚀干净,然后不冲水,直接提到NiAg腐蚀液中将表面Ni腐蚀干净,提出冲水,接着腐蚀下层金属Ti。

6)发明专利:一种Si基GaN-HEMT器件的制备方法  申请号:CN202210739161.7  申请日2022年628 技术效果:本发明节约了芯片表面源极PAD区域面积;避免了目前主流的P‑GaN增强型器件刻蚀引起的界面态问题和高频电流崩塌效应,从而推动Si基GaN HEMT在电力电子领域的发展和应用。

7)发明专利:一种利用TVS管漏电进行测试的方法  申请号:CN202210484843.8  申请日2022年56 技术效果:本发明可查看器件的壳温和环境温度,通过耗散功率公式:P=(Tj‑Ta)/Rth,P=(Tj‑Tc)/Rth即可分别计算出芯片结到壳的热阻和芯片结到环境的热阻。

8)发明专利:一种碳化硅肖特基二极管及其制造方法  申请号:CN202210464002.0  申请日2022年429 技术效果:本发明减小了器件表面受外来电荷或电场的影响,可以有效的保护器件耐压长期稳定性和可靠性。

9)发明专利:贴片二极管全自动检测装置  申请号:CN202210195025.6  申请日2022年31 技术效果:本发明具有结构紧凑、提高测试的安全性和准确性等特点。

10)发明专利:一种高功率贴片整流桥芯片框架  申请号:CN202210101208.7  申请日2022年127 技术效果:本发明可以承载140mil芯片,极大的提高了产品整体过流能力。  

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